Elementy R, L, C w obwodzie prądu sinusoidalnego

W obwodach prądu sinusoidalnego mamy do czynienia ze wszystkimi elementami pasywnymi, czyli z rezystorami o rezystancji R, kondensatorami o pojemności C, cewkami o indukcyjności L. Każdy element rzeczywisty jest tak zbudowany, że dominujące znaczenie ma jeden z wymienionych parametrów. Nie można jednak pominąć występowania pozostałych parametrów, chociaż w wielu wypadkach mają one znaczenie drugorzędne. Na przykład rezystor o uzwojeniu spiralnym jednowarstwowym charakteryzuje się przede wszystkim rezystancją R, jednakże nie może być całkowicie pominięta indukcyjność L, a niekiedy nawet pojemność C. Rezystor o uzwojeniu bifilarnym pomijalnie małą indukcyjność, ale dość znaczną pojemność miedzy warstwami. W rezystorach drutowych, pojemność i indukcyjność, mające charakter pasożytniczy, zależą od konstrukcji rezystora.
Pomijalnie małą indukcyjność i pojemność mają rezystory ceramiczne. Każda cewka nawinięta z drutu charakteryzuje się dużą indukcyjnością, ale rezystancja cewki nie może być całkowicie pominięta.
Większość kondensatorów ma dielektryk częściowo przewodzący, w związku z czym nie może być pominięta tzw. Rezystancja upływowa, odpowiadająca stratom w dielektryku. Ujawnianie się poszczególnych własności, a więc i parametrów schematu zastępczego realnego urządzenia zależy w znacznym stopniu od częstotliwości, napięcia i prądu związanego z danym elementem (ten sam element może mieć, w zależności od częstotliwości, napięcia i prądu, różny schemat zastępczy).
W schemacie obwodu występują więc przeważnie wszystkie trzy parametry R, L i C, a często również indukcyjność wzajemna M. Jednakże wpływ każdego z tych parametrów na prąd w obwodzie jest różny.