Inżynieria nanostruktur II TURA

Zapisy
od 2013-08-12 10:00:00 do 2013-09-13 10:00:00

Język wykładowy
polski

Opis

Minimalna liczba osób przyjętych będąca warunkiem uruchomienia studiów: 6
Limit miejsc: w trybie kwalifikacji uwzględniającej wyniki uzyskane podczas studiów – 20;
w trybie kwalifikacji uwzględniającej wyniki egzaminu pisemnego - 7

Studia II stopnia na kierunku inżynieria nanostruktur odbywają się w ramach trzech ścieżek kształcenia (odpowiedników specjalizacji): Fotonika (Photonics), Modelowanie Nanostruktur i Nowych Materiałów (MONASTR) (Modeling of Nanostructures and Novel Maerials), Nanotechnologie i Charakteryzacja Nowych Materiałów (NiChNM) (Nanotechnologies and the Characterization of Novel Materials) .

Absolwent studiów II stopnia inżynieria nanostruktur będzie posiadać interdyscyplinarną wiedzę z zakresu fizyki i chemii. Absolwent uzyska wiedzę zarówno teoretyczną, jak również praktyczną w trakcie pracy w nowocześnie wyposażonych laboratoriach Uniwersytetu Warszawskiego oraz współpracujących z nimi innych jednostek naukowych. Absolwent pozna i zrozumie rolę nanotechnologii i inżynierii nanostruktur w rozwoju nowoczesnego społeczeństwa. Absolwent będzie merytorycznie przygotowany do rozwiązywania problemów technicznych i naukowych w nanotechnologii, zarówno w skali laboratoryjnej, jak i przemysłowej, w tym także badań środowiskowych. Uzyskana wiedza pozwoli absolwentowi na podjęcie pracy w instytucjach związanych z wykorzystaniem chemii, fizyki oraz na kontynuowanie nauki, w tym podjęcie studiów III stopnia.

Studia w ramach ścieżki Fotonika są poświęcone poznaniu technologii nanostruktur i materiałów dla fotoniki oraz zaznajomieniu się z podstawowymi metodami fizyko-chemicznymi, stosowanymi dla ich badania. Studia dają również możliwość poznania zasad działania podstawowych przyrządów i elementów fotonicznych. W ramach ścieżki studenci wykonają pracy magisterską, polegającą na rozwiązaniu postawionego zagadnienia dotyczącego otrzymania lub zbadania właściwości materiału dla fotoniki. Opiekunami prac magisterskich mogą być wszyscy nauczyciele akademiccy Wydziału Fizyki i Wydziału Chemii Uniwersytetu Warszawskiego, zajmujący się w swojej pracy naukowej technologią i badaniami materiałów dla fotoniki.

Studia w ramach ścieżki MONASTR są poświęcone modelowaniu własności nanostruktur i nowych materiałów. Istotną cechą tych studiów jest zaznajomienie studentów z nowoczesnymi metodami modelowania nanostruktur i nowych materiałów oraz, w ogólności, metodami poznawania natury, opartymi o realistyczne symulacje komputerowe. W ramach ścieżki studenci wykonają pracę magisterską, w której zostanie przeprowadzone modelowanie nanostruktur, własności nowych materiałów lub zostanie opracowane nowe narzędzie badawcze w postaci programu numerycznego. Opiekunami prac magisterskich mogą być wszyscy nauczyciele akademiccy Wydziału Fizyki i Wydziału Chemii Uniwersytetu Warszawskiego zajmujący się w swojej pracy naukowej modelowaniem własności fizycznych i chemicznych nanostruktur i nowych materiałów.


Studia w ramach ścieżki NiChNM są poświęcone projektowaniu i badaniu właściwości fizykochemicznych nowych materiałów, w szczególności wpływowi nanostrukturyzacji na właściwości fizykochemiczne nanomateriałów węglowych, półprzewodnikowych i polimerowych. Studenci ścieżki poznają strategie syntezy i fizycznego otrzymywania nanostruktur oraz ich charakteryzacji za pomocą najnowocześniejszych metod badawczych. Praktyczne zajęcia zawarte w programie specjalności mają charakter przekrojowy i będą uczyły wyboru i zastosowania wielu komplementarnych technik badawczych. Część teoretyczna będzie poświęcona wpływowi nanostrukturyzacji na właściwości fizykochemiczne materiałów oraz podstawom fizycznym stosowanych metod badawczych.

Zasady kwalifikacji

O przyjęcie na studia drugiego stopnia mogą ubiegać się osoby posiadające tytuł licencjata, magistra, inżyniera lub równoważny.

Kandydat jest kwalifikowany na podstawie wyników osiągniętych w czasie dotychczasowych studiów lub na podstawie egzaminu pisemnego z fizyki i chemii. Kandydat może wybrać tylko jeden sposób kwalifikacji.

Kwalifikacja na podstawie wyników osiągniętych w czasie dotychczasowych studiów

W przypadku postępowania kwalifikacyjnego na podstawie wyników osiągniętych w czasie dotychczasowych studiów każda ocena S uzyskana przez kandydata na studiach zostanie przeliczona na punkty zgodnie ze wzorem:

100(S-Smin)/(Smax-Smin),

gdzie Smax jest najwyższą możliwą do zdobycia oceną, a Smin jest najniższą możliwą do zdobycia oceną. Punkty rekrutacyjne każdego kandydata będą obliczane jako suma ocen (po przeliczeniu) z przedmiotów uzyskanych na studiach, przy czym każda ocena będzie mnożona przez liczbę godzin danego przedmiotu oraz przez współczynnik zależny od rodzaju przedmiotu.

Współczynnik zależny od rodzaju przedmiotu wynosi odpowiednio:

dla wykładów, ćwiczeń rachunkowych i laboratoriów z zakresu chemii: 2,0
dla wykładów, ćwiczeń rachunkowych i laboratoriów z zakresu fizyki: 2,0
dla wykładów i ćwiczeń rachunkowych z matematyki: 2,0
dla przedmiotów z zakresu programowania i metod numerycznych: 2,0
dla wykładów, ćwiczeń rachunkowych i laboratoriów z zakresu astronomii: 1,5
dla wykładów, ćwiczeń rachunkowych i laboratoriów z zakresu biologii: 1,0
dla pozostałych: 0,0
W przypadku postępowania kwalifikacyjnego na podstawie wyników osiągniętych w czasie dotychczasowych studiów warunkiem przyjęcia na studia jest uzyskanie końcowej liczby punktów rekrutacyjnych nie mniejszej niż 50000 oraz zapewniającej miejsce na liście rankingowej mieszczące się w ramach obowiązującego limitu.

Kandydat jest zobowiązany dostarczyć:

1. potwierdzony przez jednostkę, w której kandydat studiował, wypis ocen ze studiów z informacją o wymiarze godzinowym zajęć,

2. oświadczenie podpisane przez kandydata, zawierające:

wypis ocen ze studiów z informacją o wymiarze godzinowym zajęć, przy czym należy uwzględnić tylko przedmioty mające współczynnik większy od zera,
wynik samodzielnie przeprowadzonych obliczeń punktów rekrutacyjnych wg powyższych reguł.
Kwalifikacja na podstawie egzaminu pisemnego z fizyki i chemii


W przypadku postępowania kwalifikacyjnego na podstawie egzaminu pisemnego z fizyki i chemii, warunkiem przyjęcia na studia jest uzyskanie końcowej liczby punktów rekrutacyjnych nie mniejszej niż 50 oraz zapewniającej miejsce na liście rankingowej mieszczące się w ramach obowiązującego limitu. Maksymalna możliwa do zdobycia liczba punktów rekrutacyjnych wynosi 100.

Egzamin obejmuje zakres materiału z fizyki i chemii na poziomie studiów pierwszego stopnia (minima programowe).

Zasady kwalifikacji dla kandydatów z dyplomem zagranicznym

Limit miejsc: w ramach limitu ogólnego

Postępowanie kwalifikacyjne jest takie samo jak dla kandydatów z dyplomem polskim.

Terminy egzaminów

Termin egzaminu pisemnego: 16 września 2013 r., godz. 09:00, Aula, ul. Hoża 69, 00-681 Warszawa
Na egzamin pisemny należy przynieść kalkulator. Kandydaci będą mieli dostęp do poradników encyklopedycznych z fizyki i matematyki i będą to jedyne dopuszczalne pomoce na egzaminie.

• Czas trwania: 2 lata
• Data rozpoczęcia: 2015-02-01 00:00:00